[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_008]
Si(001)-c(4x2)表面のSTM観察とシミュレーション (a) バイアス電圧 +1.0V (b) バイアス電圧 -1.0V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_009]
Constant height STM image of Si(001)-c(4x2) (a) 探針バイアス +0.8V (b) 探針バイアス -0.5V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_010]
Si(001)-3x1:H表面のconstant height STM像シミュレーション (a) 探針バイアス +2.73 V (b) 探針バイアス +3.5 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_011]
Au(001)再構成表面のSTM観察とシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_002]
ペンタセン分子のAFM, STM観察とシミュレーション (a) 探針バイアス +1.0 V (b) 探針バイアス -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_012 ]
高さ一定モードによるRuO2(110) 表面のトンネル電流像STMシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_024]
Si(111)√3×√3-AgのSTM像 (a) 探針バイアス -0.1 V, 探針-試料間距離 3.0 Å (b) 探針バイアス +0.3 V, 探針-試料間距離 2.0 Å |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_003 ]
銅フタロシアニンのトンネル電流像シミュレート |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_004]
グラファイト上のC6Br6モノレイヤーのSTMシミュレーション (a) 探針バイアス +2.5V, 探針-試料間の距離 5.0 Å (b) 探針バイアス +2.5V, 探針-試料間の距離 4.5 Å (c) 探針バイアス +2.5V, 探針-試料間の距離 4.0 Å (d) 探針バイアス +2.5V, 探針-試料間の距離 3.5 Å (e) 探針バイアス +2.5V, 探針-試料間の距離 3.0 Å (f) 探針バイアス +2.5V, 探針-試料間の距離 2.5 Å (g) 探針バイアス -2.5V, 探針-試料間の距離 5.0 Å (h) 探針バイアス -2.5V, 探針-試料間の距離 4.5 Å (i) 探針バイアス -2.5V, 探針-試料間の距離 4.0 Å (j) 探針バイアス -2.5V, 探針-試料間の距離 3.5 Å (k) 探針バイアス -2.5V, 探針-試料間の距離 3.0 Å (l) 探針バイアス -2.5V, 探針-試料間の距離 2.5 Å |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_005]
炭化水素C26H14のSTMシミュレーション (a) 探針バイアス +3.0V, 探針-試料間の距離 4.5 Å (b) 探針バイアス +3.0V, 探針-試料間の距離 4.0 Å (c) 探針バイアス +3.0V, 探針-試料間の距離 3.5 Å (d) 探針バイアス -3.0V, 探針-試料間の距離 4.5 Å (e) 探針バイアス -3.0V, 探針-試料間の距離 4.0 Å (f) 探針バイアス -3.0V, 探針-試料間の距離 3.5 Å |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_013]
Li-GICのSTM像シミュレーション (a) 探針バイアス +0.1 V (b) 探針バイアス +3.0 V (c) 探針バイアス -1.0 V (d) 探針バイアス -3.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_014]
グラフェンシートのSTM像シミュレーション (a) 探針バイアス +2.0 V (b) 探針バイアス -2.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_015]
CeO2 (110) 表面のSTM像シミュレーション (a) 探針バイアス +1.0 V (b) 探針バイアス -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_006]
coronene分子のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_007]
Au(111)面上でのcoronene分子吸着構造のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_008]
coronene分子のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_009]
Au(111)面上でのcoronene分子吸着構造のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_016]
Pt(111)表面のconstant height STMシミュレーション |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_001 ]
カプトン(Kapton)[ポリイミド(polyimide)の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_002 ]
ユーピレックス-RN(Upilex-RN)[ポリイミド(polyimide)の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_003 ]
ザイロン(Zylon)[合成繊維の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_004 ]
ポリベンゾイミダゾール(PBI)[合成繊維の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_005 ]
高耐熱性ポリイミド接着剤Larc-TPI |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_006 ]
ジアセテート(diacetate)[アセテート繊維の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_007]
トリアセテート(triacetate)[アセテート繊維の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_008]
セルロース(cellulose)[アセテート繊維の一種] |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_009]
ポリアセチレンのconstant height STMシミュレーション (a) バイアス電圧 +0.1 V (b) バイアス電圧 -0.1 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Polymer_010]
ポリアセチレンのconstant height STMシミュレーション (a) バイアス電圧 +0.1 V (b) バイアス電圧 -0.1 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_017]
HOPGのconstant height STM像 |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_018]
Au(111)基板上の水分子のconstant height STM像 |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_010 ]
ルブレン分子のconstant height STM像 |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_011 ]
TPD分子のconstant height STM像 |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_012]
Alq3のconstant height STM像 |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_025]
ZnSeの立方晶の(001)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_026]
ZnSeの立方晶の(110)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +4.0 V (b) バイアス電圧 -4.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_027]
SiGeの立方晶の(001)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_028]
LiCoO2(リチウムイオン電池の正極活物質)の三方晶の(001)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_029]
LiCoO2(リチウムイオン電池の正極活物質)の三方晶の(111)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_030]
ZrO2の単斜晶の(001)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_031]
ZrO2の単斜晶の(110)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_032]
ZrO2の立方晶の(001)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_033]
ZrO2の立方晶の(110)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_034]
BNの六方晶のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +2.0 V (b) バイアス電圧 -2.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_035]
Si3N4の六方晶の(001)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Inorganic_036]
Si3N4の六方晶の(111)面のconstant height STM像 (a) バイアス電圧 +1.0 V (b) バイアス電圧 -1.0 V |
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[DFTB_ConstHeightSTM_Organic_013]
Ir(piq)3[トリス[1-フェニルイソキノリン-C2,N]イリジウム(III)](有機半導体の一種)のconstant height STM像 |
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