[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_001]
Constant current STM image of Si(001)-c(4x2) (a) Vtip = +0.8 V (b) Vtip = -0.5 V |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_002]
Si(001)-3x1:H表面のconstant current STM像シミュレーション (a) Vtip = +2.73 V, I = 1000 nA (b) Vtip = +3.5 V, I = 1000 nA (c) Vtip = -3.5 V, I = 1000 nA (d) Vtip = -3.5 V, I = 1 nA |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_005]
Ag(111)上の任意の位置に置かれたBi原子のSTM像 (a) Ag(111)上にBi原子を置いた場合 (b) 表面のAgをBi原子に置換した場合 (c) Ag(111)上に2つのBi原子を置いた場合 (d) 表面の2つのAgをBi原子に置換した場合 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_006]
Ag(111)√3×√3-BiのSTM像 (a) Ag(111)上にBi原子を置いた場合 (b) 表面のAgをBi原子に置換した場合 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_007]
Constant current STM image of Si(110):H |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_008]
GaAs(100)表面のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_009]
GaAs(100)結晶表面の欠陥のconstant current STMシミュレーション (a) 最表面からGa原子を1つ除去した場合 (b) 最表面からGa原子を5つ除去した場合 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_010]
Pt(111)表面のconstant current STMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_011]
Si表面の欠陥のconstant current STMシミュレーション (a) 欠陥がない場合 (b) 欠陥がある場合 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_012]
透明導電性フィルム(ITO)のconstant current STMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_013]
Mo(111)のconstant current STM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_014]
InAs-GaSb界面の(110)面のconstant current STM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_015]
Ge(111)-c(2×8)のconstant current STMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_016]
CdS(100)-(1x1) STM (a) 探針バイアス(Vtip) = +2.0 V (b) 探針バイアス = -2.0 V |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_017]
InP(001)-c(4x2) STM |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_018]
GaNの結晶面のSTMシミュレーション (a) 電流値(I) = +2400 nA (b) 電流値 = +8500 nA (c) 電流値 = +800 nA |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_019]
4H-SiC (0001) 表面の constant current STM像シミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_020]
CuInSe2(001) STM |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_021]
透明導電膜ZnOのSTM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_022]
透明導電膜ITO (Indium Tin Oxide)のSTM像 (a) In2O3(001)表面のSTM像 (b) 一部をSnで置換したIn2O3(001)表面のSTM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_023]
リチウムイオン電池の正極活物質LiMn2O4粒子のSTM画像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_024]
CeO2 (110) 表面のconstant current STM像シミュレーション (a) 探針バイアス = +1.0 V (b) 探針バイアス = -1.0 V |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_025]
Pt(110)-(1x2) STM |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_026]
WO3表面のSTM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_027]
NO/Pt(111)のconstant current STM像 (a) NO分子が飽和吸着したPt(111)面 (b) NO分子が部分的に吸着したPt(111)面 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Inorganic_028]
TiO2(110)上のPtのSTM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_003]
Constant current STM image of pentacene (e) Vtip = -1.0 V (f) Vtip = +1.0 V (g) Vtip = +2.0 V (h) Vtip = +2.8 V |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_004]
Au(111)面上でのcoronene分子吸着構造のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_005]
coronene分子吸着構造のSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_006]
Perylene on Ag(110)のconstant current STM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_007]
ポリチオフェンワイヤのconstant current STM像 (a) Vtip = +0.5 V (b) Vtip = -0.5 V |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_008]
フタロシアニンコバルトのSTMシミュレーション |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_009]
2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレンのconstant current STM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_010]
C545TのSTM像 |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Organic_011]
ポリイソプレンのconstant current STM像 (a) cis-polyisoprene (b) trans-polyisoprene |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Polymer_001]
ポリエチレンテレフタレート(PET)のconstant current STMシミュレーション (a) Vtip = +2.0 V, I = 10 nA (b) Vtip = +2.0 V, I = 100 nA (c) Vtip = +2.0 V, I = 1000 nA (d) Vtip = -2.0 V, I = 10 nA (e) Vtip = -2.0 V, I = 100 nA (f) Vtip = -2.0 V, I = 1000 nA |
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[DFTB_ConstCurrentSTM_Polymer_002]
ポリエチレングリコール(PEG)のconstant current STMシミュレーション |
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